参数资料
| 型号： | IPS1011RTRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC IPS SW LOW SIDE DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 10 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 6A |
| 电流 - 峰值输出： | 85A |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IPS1011( S )( R )PbF
30
100
5°C/W
10°C/W
90
50°C/W 25°C ambient
25
20
1" sq footprint
std footprint
80
70
50°C/W 85°C ambient
50°C/W -40°C ambient
60
15
10
5
0
50
40
30
20
10
0
-50
0 50 100
Tamb, Ambient temperature (°C)
150
0.1
1 10
Protection response time (s)
100
Figure 9 – Max. continuous output current (A)
Vs Ambient temperature (°C)
100
10
1
Figure 10 – Ids (A) Vs over temperature
protection response time (s)
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
1E-05 1E-04 0.001 0.01
0.1
1
10
100
Inductive load (mH)
Figure 11 – Max. ouput current (A)
Vs Inductive load (mH)
www.irf.com
Time (s)
Figure 12 – Transient thermal impedance (°C/W)
Vs time (s)
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPS1021RTRLPBF | IC IPS SW LOW SIDE DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPS1011RTRR | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IPS1011RTRRPBF | 功能描述:电源开关 IC - 配电 INT PWR Low Side 13mOhms 36V 85A RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 |
| IPS1011S | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INTELLIGENT POWER LOW SIDE SWITCH |
| IPS1011SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 40V 100A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IPS1011STRLPBF | 功能描述:功率驱动器IC INT PWR Low Side 13mOhms 36V 85A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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