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参数资料
| 型号： | IPS511G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
| 中文描述： | 充分保护高压侧功率MOSFET开关 |
| 文件页数： | 11/11页 |
| 文件大小： | 182K |
| 代理商： | IPS511G |
IPS511G/IPS512G
www.irf.com
11
Case Outline
01-3064 00
16 Lead SOIC (narrow body)
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245 Tel: (310) 252-7105
IR EUROPEAN REGIONAL CENTRE:
439/445 Godstone Rd., Whyteleafe, Surrey CR3 0BL, United Kingdom
Tel: ++ 44 (0) 20 8645 8000
IR JAPAN:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo, Japan 171-0021 Tel: 8133 983 0086
IR HONG KONG:
Unit 308, #F, New East Ocean Centre, No. 9 Science Museum Road, Tsimshatsui East, Kowloon
Hong Kong Tel: (852) 2803-7380
Data and specifications subject to change without notice. 5/9/2000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPS512G | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
| IPS511 | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
| IPS511S | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
| IPS5551T | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
| IPU05N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPS511GPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:IC MOSFET SMART SWITCH SO-8 |
| IPS511GTR | 功能描述:功率驱动器IC High Side Pow FET 150mOhm 50V 5A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IPS511PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:IC MOSFET SMART SWITCH TO-220-5 |
| IPS511S | 功能描述:IC MOSFET HS PWR SW 5A D2PAK-5 RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 类型:高端/低端驱动器 输入类型:SPI 输出数:8 导通状态电阻:850 毫欧，1.6 欧姆 电流 - 输出 / 通道:205mA，410mA 电流 - 峰值输出:500mA，1A 电源电压:9 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:PG-DSO-20-45 包装:带卷 (TR) |
| IPS511SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Power Switch Hi Side 3A 5-Pin(4+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:IC MOSFET SMART SWITCH D2-PAK |
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