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参数资料
| 型号： | IPS511GTR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET HS PWR SW 5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 130 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 1.4A |
| 电流 - 峰值输出： | 10A |
| 电源电压： | 5.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IPS511G/IPS512G
Recommended Operating Conditions
These values are given for a quick design. For operation outside these conditions, please consult the application notes.
Symbol Parameter
Min.
Max.
Units
Vcc
Continuous Vcc voltage
5.5
35
VIH
VIL
High level input voltage
Low level input voltage
4
-0.3
5.5
0.9
V
Iout
Continuous output current
Tamb=85 o C
Iout
Tamb=85 o C
Rin
Rdg
(TAmbient = 85 o C, Tj = 125 o C, rth = 100 o C/W) IPS511G
Continuous output current per leg
(TAmbient = 85 o C, Tj = 125 o C Rth = 85 o C/W both legs on) IPS512G
Recommended resistor in series with IN pin
Recommended resistor in series with DG pin
—
—
4
10
1.4
1.0
6
20
A
k ?
Static Electrical Characteristics
(Tj = 25 o C, Vcc = 14V unless otherwise specified.)
Symbol Parameter
Min.
Typ.
Max. Units Test Conditions
Rds(on)
@Tj=25 o C
ON state resistance Tj = 25 o C
—
130
150
Vin = 5V, Iout = 2.5A
Rds(on)
(V cc=6V)
Rds(on)
ON state resistance @ Vcc = 6V
ON state resistance Tj = 150 o C
—
—
130
220
150
—
m ?
Vin = 5V, Iout = 1A
Vin = 5V, Iout = 2.5A
@Tj=150 o C
Vcc oper.
Operating voltage range
5.5
—
35
V clamp 1
V clamp 2
Vf
Icc off
Icc on
Icc ac
Vdgl
Iol
Iol
Idg
leakage
Vih
Vil
Iin, on
In, hyst.
Vcc to OUT clamp voltage 1
Vcc to OUT clamp voltage 2
Body diode forward voltage
Supply current when OFF
Supply current when ON
Ripple current when ON (AC RMS)
Low level diagnostic output voltage
Output leakage current
Output leakage current
Diagnostic output leakage current
IN high threshold voltage
IN low threshold voltage
On state IN positive current
Input hysteresis
50
—
—
—
—
—
—
—
0
—
—
1
—
0.1
56
58
0.9
16
0.7
20
0.15
60
—
—
2.3
2
70
0.25
—
65
1.2
50
2
—
0.4
120
25
10
2.5
—
200
0.5
V
μ A
mA
μ A
V
μ A
V
μ A
V
Id = 10mA (see Fig.1 & 2)
Id = Isd (see Fig.1 & 2)
Id = 2.5A, Vin = 0V
Vin = 0V, Vout = 0V
Vin = 5V
Vin = 5V
Idg = 1.6 mA
Vout = 6V
Vout = 0V
Vdg = 5.5V
Vin = 5V
www.irf.com
3
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