参数资料
| 型号： | IPS521GTR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET HS PWR SW 5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 80 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 1.6A |
| 电流 - 峰值输出： | 10A |
| 电源电压： | 5.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IPS521G
Absolute Maximum Ratings
Absolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage parameters
are referenced to GROUND lead. (Tj = 25 o C unless otherwise specified).
Symbol Parameter
Vout
Maximum output voltage
Min.
Vcc-50
Max.
Vcc+0.3
Units
Test Conditions
Voffset
Maximum logic ground to load ground offset Vcc-50
Vcc+0.3
V
Vin
Maximum Input voltage
-0.3
5.5
Iin, max
Vdg
Idg, max
Maximum positive IN current
Maximum diagnostic output voltage
Maximum diagnostic output current
-5
-0.3
-1
10
5.5
10
mA
V
mA
Isd cont.
Diode max. permanent current (1)
(rth = 125 o C/W)
Isd pulsed Diode max. pulsed current (1)
—
—
1.4
10
A
ESD1
Electrostatic discharge voltage (Human Body)
—
4
C=100pF, R=1500 ?,
ESD2
Electrostatic discharge voltage (Machine Model)
—
0.5
kV
C=200pF, R=0 ?, L=10 μ H
Maximum power dissipation
Pd
(1)
(rth=125 o C/W)
—
1
W
C
Tj max.
Vcc max.
Max. storage & operating junction temp.
Maximum Vcc voltage
-40
—
+150
50
o
V
Thermal Characteristics
Symbol Parameter
Min.
Typ.
Max. Units Test Conditions
Rth1
Rth2
Thermal resistance with standard footprint
Thermal resistance with 1" square footprint
—
—
&
a
a
o
C/W 8 Lead SOIC
Recommended Operating Conditions
These values are given for a quick design. For operation outside these conditions, please consult the application notes.
Symbol Parameter
Min.
Max.
Units
Vcc
Continuous Vcc voltage
5.5
35
VIH
VIL
Iout
Tc=85 o C
Rin
Rdg
High level input voltage
Low level input voltage
Continuous output current
(TAmbient = 85 o C, Tj = 125 o C, Rth = 100 o C/W)
Recommended resistor in series with IN pin
Recommended resistor in series with DG pin
4
-0.3
—
4
10
5.5
0.9
1.6
6
20
V
A
k ?
(1) Limited by junction temperature (pulsed current limited also by internal wiring)
2
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PDF描述 |
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