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参数资料
| 型号： | IPS6021STRRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH IPS 1CH HI SIDE D2PAK- |
| 标准包装： | 800 |
| 类型： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 24 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 4.3A |
| 电流 - 峰值输出： | 32A |
| 电源电压： | 6 V ~ 28 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-5，D²Pak（4 引线+接片），TO-263BB |
| 供应商设备封装： | D2Pak（SMD-220 5 引线） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IPS6021( S )( R )PbF
Static Electrical Characteristics
Tj=25°C, Vcc=14V (unless otherwise specified)
Symbol
Rds(on)
Vcc op.
V clamp 1
V clamp 2
Icc Off
Icc On
Vih
Vil
In hyst.
Iin On
Idg
Vdg
Parameter
ON state resistance Tj=25°C
ON state resistance Tj=150°C
O N state resistance Tj=25°C, Vcc=6V
ON state resistance during reverse battery
Operating voltage range with short circuit
p rotection
V cc to Out clamp voltage 1
Vcc to Out clamp voltage 2
S upply current when Off
S upply current when On
Input high threshold voltage
Input low threshold voltage
Input hysteresis
Input current when device is On
D g leakage current
Low level DG voltage
Min.
?
?
?
?
6
37
?
?
?
?
1.5
0.2
?
?
?
Typ.
24
42
29
31
?
39
40
4
2.2
2.5
2
0.5
40
0.1
0.2 5
Max.
30
52
36
39
28
?
42
9
5
2.9
?
1
100
10
0.4
Units
m ?
V
μA
mA
V
μA
V
Test Conditions
Vin= 5 V, Iout= 1 0A
Vin=5V, Iout=1 0A
Vin=5V, Iout=5 A
Vcc -Gn d=14 V
Iou t=40 mA
Iou t=8A (see Fig . 1)
Vin =0V , Vou t=0V
Vin= 5V
Vin =5V
Vd g=5V
Idg =1. 6mA
Sw it ching Electrical Characteristics
Vcc=14V, Resistive load=6 ? , Vin=5V, Tj=25°C
Symbol
Tdon
Tr1
Tr2
dV/dt (On)
EOn
Tdoff
Tf
dV/dt (Off)
EOff
Parameter
Turn-on delay time
Rise time to Vout=Vcc-5V
Rise time to Vout=0.9 x Vcc
Turn On dV/dt
Turn On energy
Turn-off delay time
F all time to Vout=0.1 x Vcc
T urn Off dV/dt
T urn Off energy
Min.
?
?
?
?
?
?
?
?
?
Typ.
14
10
18
0.8
250
40
15
1.5
100
Max.
28
28
50
1.5
?
70
45
4.5
?
Units
μs
V/μs
μJ
μs
V/ μs
μJ
T est Conditions
see Fig . 3
www.irf.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IPS6031RPBF | 功能描述:功率驱动器IC 40V 25A OTHER RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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