型号: | IPU05N03LA |
厂商: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
英文描述: | OptiMOS 2 Power-Transistor |
中文描述: | 的OptiMOS 2功率晶体管 |
文件页数: | 5/10页 |
文件大小: | 348K |
代理商: | IPU05N03LA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
IQ82C55A | CMOS Programmable Peripheral Interface |
IQ82C55AZ | CMOS Programmable Peripheral Interface |
IR04H420 | HIGH VOLTAGE HALF-BRIDGE |
IR0530CSP | FlipKY 0.5Amp, 30Volt |
IR062HD4C10U-P2 | HIGH VOLTAGE HALF BRIDGE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
IPU05N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
IPU05N03LAG | 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IPU05N03LAGXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251 |
IPU05N03LANK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251 |
IPU060N03L G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A 6mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |