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参数资料
| 型号： | IPU12N03L |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | DDM43W2S |
| 中文描述： | 的OptiMOS降压转换器系列 |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | IPU12N03L |
2003-01-17
Page 6
IPD12N03L
IPU12N03L
9 Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
=
f
(
T
j
)
parameter :
I
D
= 30 A,
V
GS
= 10 V
-60
-20
20
60
100
140
°C
T
j
200
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
m
26
IPD12N03L
R
D
typ
98%
10 Typ. gate threshold voltage
V
GS(th)
=
f
(
T
j)
parameter:
V
GS
=
V
DS
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0
0.5
1
1.5
V
2.5
V
G
0,4mA
50μA
11 Typ. capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
parameter:
V
GS
=0V,
f
=1 MHz
0
5
10
15
20
V
30
V
DS
2
10
3
10
4
10
pF
C
C
iss
C
oss
C
rss
12 Forward character. of reverse diode
I
F
=
f
(V
SD
)
parameter:
T
j , t
p
= 80 μs
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
V
3
V
SD
0
10
1
10
2
10
3
10
A
IPD12N03L
I
F
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 175 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 175 °C (98%)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPD144N06NG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPD14N03L | MULTI DVI RECEIVER - FIBER |
| IPD20N03L | OptiMOS Buck converter series |
| IPU20N03L | OptiMOS Buck converter series |
| IPD230N06LG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPU12N03LBG | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPU135N03L G | 功能描述:MOSFET N-CH 30 V 30 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPU135N03LG | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS3 Power-Transistor |
| IPU135N03LGXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-251 |
| IPU135N08N3 G | 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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