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参数资料
| 型号： | IR2011PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 80ns |
| 电流 - 峰： | 1A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 200V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
IR2011(S) & (PbF)
Absolute Maximum Ratings
Absolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage param-
eters are absolute voltages referenced to COM. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured
under board mounted and still air conditions.
Symbol
V B
V S
V HO
V CC
V LO
V IN
dV s /dt
Definition
High side floating supply voltage
High side floating supply offset voltage
High side floating output voltage
Low side fixed supply voltage
Low side output voltage
Logic input voltage (HIN & LIN)
Allowable offset supply voltage transient (figure 2)
Min.
-0.3
V B - 25
V S - 0.3
-0.3
-0.3
-0.3
—
Max.
225
V B + 0.3
V B + 0.3
25
V CC +0.3
V CC +0.3
50
Units
V
V/ns
P D
R THJA
T J
T S
T L
Package power dissipation @ T A ￡ +25 ° C
Thermal resistance, junction to ambient
Junction temperature
Storage temperature
Lead temperature (soldering, 10 seconds)
(8-lead DIP)
(8-lead SOIC)
(8-lead DIP)
(8-lead SOIC)
—
—
—
—
—
-55
—
1.0
0.625
125
200
150
150
300
W
° C/W
° C
Recommended Operating Conditions
For proper operation the device should be used within the recommended conditions. The VS and COM offset ratings
are tested with all supplies biased at 15V differential.
Symbol
V B
V S
V HO
V CC
V LO
V IN
T A
Definition
High side floating supply absolute voltage
High side floating supply offset voltage
High side floating output voltage
Low side fixed supply voltage
Low side output voltage
Logic input voltage (HIN & LIN)
Ambient temperature
Min.
V S + 10
Note 1
V S
10
0
COM
-40
Max.
V S + 20
200
V B
20
V CC
5.5
125
Units
V
° C
Note 1: Logic operational for V S of -4 to +200V. Logic state held for V S of -4V to -V BS .
2
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IR20153STRPBF | IC DRIVER HI SIDE RECHARGE 8SOIC |
| IR2086STRPBF | IC DRIVER FULL BRIDGE 16-SOIC |
| IR2101PBF | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8DIP |
| IR2103SPBF | IC DRIVER HALF BRIDGE 600V 8SOIC |
| IR2104STRPBF | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2011PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:DRIVER, HALF BRIDGE, 200V, 8DIP 制造商:International Rectifier 功能描述:DRIVER, HALF BRIDGE, 200V, 8DIP; Device Type:MOSFET; Module Configuration:High Side, Low Side; Peak Output Current:1A; Supply Voltage Min:10V; Supply Voltage Max:20V; Driver Case Style:DIP; No. of Pins:8; Input Delay:80ns; Output ;RoHS Compliant: Yes |
| IR2011S | 功能描述:HI/LO SIDE DRVR 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR2011SPBF | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 200V 1.0A 80ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2011STR | 功能描述:HI/LO SIDE DRVR 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR2011STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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