参数资料
型号: IR2011SPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 7/17页
文件大小: 0K
描述: HI/LO SIDE DRVR 8SOIC
标准包装: 95
配置: 高端和低端,独立
输入类型: 非反相
延迟时间: 80ns
电流 - 峰: 1A
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 200V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 管件
其它名称: *IR2011SPBF
IR2011(S) & (PbF)
100
80
100
80
60
Max.
60
Max.
Typ.
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20
0
Typ.
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20
0
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-25
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125
10
12
14
16
18
20
Temperature ( C)
o
Figure 4A. Turn-on Rise Time vs. Temperature
50
Supply Voltage (V)
Figure 4B. Turn-on Rise Time vs. Supply Voltage
50
40
30
Max.
40
30
Max.
Typ.
20
10
0
Typ.
20
10
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
Temperature ( C)
o
Figure 5A. Turn-off Fall Time vs. Temperature
www.irf.com
Supply Voltage (V)
Figure 5B. Turn-off Fall Time vs. Supply Voltage
7
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PDF描述
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参数描述
IR2011STR 功能描述:HI/LO SIDE DRVR 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
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