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参数资料
| 型号： | IR2011STRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 80ns |
| 电流 - 峰： | 1A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 200V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IR2011STRPBF IR2011SPBFCT |
IR2011(S) & (PbF)
Absolute Maximum Ratings
Absolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage param-
eters are absolute voltages referenced to COM. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured
under board mounted and still air conditions.
Symbol
V B
V S
V HO
V CC
V LO
V IN
dV s /dt
Definition
High side floating supply voltage
High side floating supply offset voltage
High side floating output voltage
Low side fixed supply voltage
Low side output voltage
Logic input voltage (HIN & LIN)
Allowable offset supply voltage transient (figure 2)
Min.
-0.3
V B - 25
V S - 0.3
-0.3
-0.3
-0.3
—
Max.
225
V B + 0.3
V B + 0.3
25
V CC +0.3
V CC +0.3
50
Units
V
V/ns
P D
R THJA
T J
T S
T L
Package power dissipation @ T A ￡ +25 ° C
Thermal resistance, junction to ambient
Junction temperature
Storage temperature
Lead temperature (soldering, 10 seconds)
(8-lead DIP)
(8-lead SOIC)
(8-lead DIP)
(8-lead SOIC)
—
—
—
—
—
-55
—
1.0
0.625
125
200
150
150
300
W
° C/W
° C
Recommended Operating Conditions
For proper operation the device should be used within the recommended conditions. The VS and COM offset ratings
are tested with all supplies biased at 15V differential.
Symbol
V B
V S
V HO
V CC
V LO
V IN
T A
Definition
High side floating supply absolute voltage
High side floating supply offset voltage
High side floating output voltage
Low side fixed supply voltage
Low side output voltage
Logic input voltage (HIN & LIN)
Ambient temperature
Min.
V S + 10
Note 1
V S
10
0
COM
-40
Max.
V S + 20
200
V B
20
V CC
5.5
125
Units
V
° C
Note 1: Logic operational for V S of -4 to +200V. Logic state held for V S of -4V to -V BS .
2
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YB16WCKW01-1F12-JF | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 3A 125V |
| YB16WCKW01-1F05-JF | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 3A 125V |
| YB15RKW01-1CF12-JB | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 3A 125V |
| UB215KKW016CF-2B | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 5A 125V |
| KB15RKG01B-5D12-JD | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2011STRRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DRVR 200V 1A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R |
| IR20153S | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HIGH SIDE DRIVER WITH RECHARGE |
| IR20153SPBF | 功能描述:IC DRIVER HI SIDE RECHARGE 8-SOI RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR20153STRPBF | 功能描述:IC DRIVER HI SIDE RECHARGE 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR201A | 制造商:Extech Instruments Corporation 功能描述:THERMOMETER, IR, 2.5%, Temperature Measuring Range:-20C to +270C, Accuracy %:2.5%, Operating Temperature Min:0C, Operating Temperature Max:50C , RoHS Compliant: NA 制造商:Extech Instruments Corporation 功能描述:THERMOMETER, IR, POCKET WITH LASER POINTER |
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