参数资料
型号: IR2101S
厂商: International Rectifier
文件页数: 7/14页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC
标准包装: 95
配置: 高端和低端,独立
输入类型: 非反相
延迟时间: 160ns
电流 - 峰: 210mA
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 管件
其它名称: *IR2101S
IR2101 (S) /IR2102 (S) & (PbF)
500
400
500
400
300
300
Max .
200
100
0
Max .
Typ.
200
100
0
Typ.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
Temperature (°C)
Figure 6A. Turn-On Time vs Temperature
500
400
300
VBIAS Supply Voltage (V)
Figure 6B. Turn-On Time vs Supply Voltage
5 00
4 00
3 00
200
100
2 00
1 00
M ax .
T yp .
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
0
-50
-25
0
25 50 75
1 00
1 25
Input Voltage (V)
Figure 6C. Turn-On Time vs Input Voltage
500
400
Temperature (°C)
Figure 7A. Turn-Off Time vs Temperature
500
400
300
200
100
0
Max.
Typ.
300
200
100
0
Max.
Typ .
10
12
14 16
18
20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VBIAS Supply Voltage (V)
Figure 7B. Turn-Off Time vs Supply Voltage
www.irf.com
Input Voltage (V)
Figure 7C. Turn-Off Time vs Input Voltage
7
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参数描述
IR2101SPBF 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2101SPBF-BL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IR2101STR 功能描述:IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2101STRPBF 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2101STRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:IC, MOSFET DRIVER, HIGH/LOW SIDE, SOIC-8