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参数资料
| 型号： | IR2103 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HALF BRIDGE 600V 8DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 680ns |
| 电流 - 峰： | 210mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IR2103 |
IR2103(S)PBF
Absolute Maximum Ratings
Absolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage
parameters are absolute voltages referenced to COM. The thermal resistance and power dissipation ratings are
measured under board mounted and still air conditions.
Symbol
V B
V S
V HO
V CC
V LO
V IN
dV S / dt
Definition
High side floating absolute voltage
High side floating supply offset voltage
High side floating output voltage
Low side and logic fixed supply voltage
Low side output voltage
LIN
Logic input voltage (HIN & ˉˉˉ)
Allowable offset supply voltage transient
Min.
-0.3
V B - 25
V S - 0.3
-0.3
-0.3
-0.3
—
Max.
625
V B + 0.3
V B + 0.3
25
V CC + 0.3
V CC + 0.3
50
Units
V
V/ns
P D
Rth JA
T J
Package power dissipation
@ T A ≤ +25°C
Thermal resistance, junction to
ambient
Junction temperature
8 lead PDIP
8 lead SOIC
8 lead PDIP
8 lead SOIC
—
—
—
—
—
1
0.625
125
200
150
W
°C/W
T S
T L
Storage temperature
Lead temperature (soldering, 10 seconds)
-55
—
150
300
°C
Recommended Operating Conditions
The input/output logic timing diagram is shown in figure 1. For proper operation the device should be used within
the recommended conditions. The V S offset rating is tested with all supplies biased at 15V differential.
Symbol
V B
V S
V HO
V CC
V LO
V IN
T A
Definition
High side floating absolute voltage
High side floating supply offset voltage
High side floating output voltage
Low side and logic fixed supply voltage
Low side output voltage
Logic input voltage (HIN & LIN)
Ambient temperature
Min.
V S + 10
?
V S
10
0
0
-40
Max.
V S + 20
600
V B
20
V CC
V CC
125
Units
V
°C
?
Logic operational for V S of -5 to +600V. Logic state held for V S of -5V to -V BS . (Please refer to the Design Tip DT97-3 for
more details).
4
www.irf.com
? 2013 International Rectifier
April 18, 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RCM08DSUI | CONN EDGECARD 16POS DIP .156 SLD |
| RCM08DCTI | CONN EDGECARD 16POS DIP .156 SLD |
| R2S-1505/P-R | CONV DC/DC 2W 15VIN 05VOUT |
| ABC06DRTH | CONN EDGECARD 12POS .100 DIP SLD |
| MSS1P3L-E3/89A | DIODE SCHOTTKY 1A 30V MICROSMP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2103_13 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Half-Bridge Driver |
| IR2103PBF | 功能描述:功率驱动器IC Half Bridge Driver 520ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2103S | 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE 600V 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2103SPBF | 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 130mA 680ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2103STR | 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE 600V 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
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