参数资料
型号: IR2105STR
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC
标准包装: 2,500
配置: 半桥
输入类型: 非反相
延迟时间: 680ns
电流 - 峰: 210mA
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
Data Sheet No. PD60139J
IR2105
HALF BRIDGE DRIVER
Features
? Floating channel designed for bootstrap operation
Fully operational to +600V
Product Summary
V OFFSET
600V max.
?
?
?
?
?
?
?
Tolerant to negative transient voltage
dV/dt immune
Gate drive supply range from 10 to 20V
Undervoltage lockout
5V Schmitt-triggered input logic
Cross-conduction prevention logic
Internally set deadtime
High side output in phase with input
Match propagation delay for both channels
I O +/-
V OUT
t on/off (typ.)
Deadtime (typ.)
Packages
130 mA / 270 mA
10 - 20V
680 & 150 ns
520 ns
Description
The IR2105 is a high voltage, high speed power
MOSFET and IGBT driver with dependent high and
low side referenced output channels. Proprietary
HVIC and latch immune CMOS technologies en-
able ruggedized monolithic construction. The logic
input is compatible with standard CMOS or LSTTL
outputs. The output drivers feature a high pulse
current buffer stage designed for minimum driver
cross-conduction. The floating channel can be used
to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in
the high side configuration which operates from 10
8 Lead PDIP
8 Lead SOIC
to 600 volts.
Typical Connection
up to 600V
V CC
V CC
V B
IN
IN
HO
COM
LO
V S
TO
LOAD
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PDF描述
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参数描述
IR2105STRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET/IGBT DRIVER HALF BRIDGE SMD
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