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参数资料
| 型号： | IR21064STR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HIGH/LOW 600V 14-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 180ns |
| 电流 - 峰： | 200mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOIC（窄型） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IR2106(4) (S) & (PBF)
Absolute Maximum Ratings
Absolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage param-
eters are absolute voltages referenced to COM. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured
under board mounted and still air conditions.
Symbol
V B
V S
V HO
V CC
V LO
V IN
V SS
dV S /dt
Definition
High side floating absolute voltage
High side floating supply offset voltage
High side floating output voltage
Low side and logic fixed supply voltage
Low side output voltage
Logic input voltage
Logic ground (IR21064 only)
Allowable offset supply voltage transient
Min.
-0.3
V B - 25
V S - 0.3
-0.3
-0.3
V SS - 0.3
V CC - 25
—
Max.
625
V B + 0.3
V B + 0.3
25
V CC + 0.3
V CC + 0.3
V CC + 0.3
50
Units
V
V/ns
P D
Rth JA
T J
Package power dissipation @ T A ≤ +25 ° C
Thermal resistance, junction to ambient
Junction temperature
(8 lead PDIP)
(8 lead SOIC)
(14 lead PDIP)
(14 lead SOIC)
(8 lead PDIP)
(8 lead SOIC)
(14 lead PDIP)
(14 lead SOIC)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.0
0.625
1.6
1.0
125
200
75
120
150
W
° C/W
T S
T L
Storage temperature
Lead temperature (soldering, 10 seconds)
-50
—
150
300
° C
2
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECC06DRTI-S93 | CONN EDGECARD 12POS DIP .100 SLD |
| VI-BNY-CV-S | CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 99W |
| EBC22DCMS | CONN EDGECARD 44POS .100 WW |
| AT93C86A-10TI-2.7 | IC EEPROM 16KBIT 2MHZ 8TSSOP |
| T95C106K025HSSL | CAP TANT 10UF 25V 10% 2812 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR21064STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr All HiVolt Pins 1 Sd RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2106PBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr Soft Trn On Noninvert RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2106S | 功能描述:IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2106SPBF | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 290mA 165ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2106STR | 功能描述:IC DRIVER HIGH/LOW 600V 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
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