参数资料
型号: IR2109SPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 11/25页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC
标准包装: 95
配置: 半桥
输入类型: 非反相
延迟时间: 750ns
电流 - 峰: 200mA
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 管件
IR2109(4) ( S ) & (PbF)
7
6
5
5
4
3
2
1
0
M ax.
T yp.
M in.
4
3
2
1
0
Max.
0
50
100
150
200
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( C)
5
4
R DT (K ? )
Figure 11C. Deadtime vs. RDT
(IR21094 only)
5
4
o
Figure 12A. Logic “1” Input Voltage
vs. Temperature
3
2
Max.
3
2
1
0
1
0
Min.
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
www.irf.com
V CC Supply Voltage (V)
Figure 12B. Logic “1” Input Voltage
vs. Supply Voltage
Temperature ( o C)
Figure 13A. Logic “0” Input Voltage
vs. Temperature
11
相关PDF资料
PDF描述
22R684C INDUCTOR RADIAL 680UH 0.25A
IRS2104SPBF IC DRVR HALF-BRIDGE SHTDN 8-SOIC
GEM08DRMT CONN EDGECARD 16POS .156 WW
MAX8569EVKIT+ EVALUATION KIT FOR MAX8569
CURMT101-HF DIODE FAST 50V 1A SOD-123H
相关代理商/技术参数
参数描述
IR2109STR 功能描述:IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2109STRCUT 制造商:International Rectifier 功能描述:
IR2109STRPBF 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 120mA 540ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR210S 制造商:Banner Engineering 功能描述:FIBER IR210S
IR210SGH 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: