参数资料
型号: IR2110SPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 14/18页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC
标准包装: 45
配置: 高端和低端,独立
输入类型: 非反相
延迟时间: 120ns
电流 - 峰: 2.5A
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 500V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC
包装: 管件
IR2110( - 1 - 2)(S)PbF/IR2113( - 1 - 2)(S)PbF
150
320V
150
320V
140V
125
100
75
50
25
140V
10V
125
100
75
50
25
10V
0
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
0
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
Frequency (Hz)
Figure 29. IR2110/IT2113 T J vs. Frequency
(IRFBC30) R GATE = 22 ? , V CC = 15V
Frequency (Hz)
Figure 30. IR2110/IR2113 T J vs. Frequency
(IRFBC40) R GATE = 15 ? , V CC = 15V
150
320V
140V
150
320V
140V
125
125
100
10V
100
75
50
25
0
75
50
25
0
10V
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
Frequency (Hz)
Figure 31. IR2110/IR2113 T J vs. Frequency
(IRFPE50) R GATE = 10 ? , V CC = 15V
Frequency (Hz)
Figure 32. IR2110S/IR2113S T J vs. Frequency
(IRFBC20) R GATE = 33 ? , V CC = 15V
150
125
320V
140V
150
125
320V 140V
10V
100
75
50
25
0
10V
100
75
50
25
0
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
14
Frequency (Hz)
Figure 33. IR2110S/IR2113S T J vs. Frequency
(IRFBC30) R GATE = 22 ? , V CC = 15V
Frequency (Hz)
Figure 34. IR2110S/IR2113S T J vs. Frequency
(IRFBC40) R GATE = 15 ? , V CC = 15V
www.irf.com
相关PDF资料
PDF描述
IRS21814SPBF IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14-SOIC
EEM24DTAH CONN EDGECARD 48POS R/A .156 SLD
CKP2012N1R0M-T INDUCTOR 1.0UH MULTILAYER 0805
R1S12-2405/H-R CONV DC/DC 1W 24VIN 05VOUT
IRS2110SPBF IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16-SOIC
相关代理商/技术参数
参数描述
IR2110STR 功能描述:IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2110STRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DRVR 500V 2.5A DUAL HI/LO SIDE NON-INV 16SOIC W - Tape and Reel
IR2110STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr All HiVlt Pins 1 Sd RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2111 功能描述:IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IR2111PBF 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube