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参数资料
| 型号： | IR2111STRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 750ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IR2111SPBFDKR |
IR2111 ( S ) & (PbF)
Absolute Maximum Ratings
Absolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage param-
eters are absolute voltages referenced to COM. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured
under board mounted and still air conditions. Additional information is shown in figures 7 through 10.
Symbol
V B
V S
V HO
V CC
V LO
V IN
dV s /dt
Definition
High side floating supply voltage
High side floating supply offset voltage
High side floating output voltage
Low side and logic fixed supply voltage
Low side output voltage
Logic input voltage
Allowable offset supply voltage transient (figure 2)
Min.
-0.3
V B - 25
V S - 0.3
-0.3
-0.3
-0.3
—
Max.
625
V B + 0.3
V B + 0.3
25
V CC + 0.3
V CC + 0.3
50
Units
V
V/ns
P D
Package power dissipation @ T A ≤ +25 ° C
(8 Lead PDIP)
(8 lead SOIC)
—
—
1.0
0.625
W
Rth JA
T J
T S
T L
Thermal resistance, junction to ambient
Junction temperature
Storage temperature
Lead temperature (soldering, 10 seconds)
(8 lead PDIP)
(8 lead SOIC)
—
—
—
-55
—
125
200
150
150
300
° C/W
° C
Recommended Operating Conditions
The input/output logic timing diagram is shown in figure 1. For proper operation the device should be used within the
recommended conditions. The V S offset rating is tested with all supplies biased at 15V differential.
Symbol
V B
V S
V HO
V CC
V LO
V IN
T A
Definition
High side floating supply absolute voltage
High side floating supply offset voltage
High side floating output voltage
Low side and logic fixed supply voltage
Low side output voltage
Logic input voltage
Ambient temperature
Min.
V S + 10
Note 1
V S
10
0
0
-40
Max.
V S + 20
600
V B
20
V CC
V CC
125
Units
V
° C
Note 1: Logic operational for V S of -5 to +600V. Logic state held for V S of -5V to -V BS . (Please refer to the Design Tip
DT97-3 for more details).
2
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M7TXK-2410K | IDC CABLE - MDL24K/MC26F/X |
| RCA14DTBD | CONN EDGECARD 28POS R/A .125 SLD |
| IRS21856STRPBF | IC DVR HI/LOW SIDE 600V 14SOIC |
| R1D10-1512-R | CONV DC/DC 1W 15VIN +/-12VOUT |
| IRS2104STRPBF | IC DRVR HALF-BRIDGE SHTDN 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2112 | 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR2112-1 | 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2112-1PBF | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2112-2 | 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2112-2PBF | 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16DIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
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