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参数资料
| 型号： | IR2112-1PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14DIP |
| 标准包装： | 25 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 125ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 14-DIP（0.300"，7.62mm），13 引线 |
| 供应商设备封装： | 16-DIP，15 引线 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1380 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IR2112-1PBF |
IR2112( - 1 - 2)(S)PbF
250
200
250
200
150
100
50
Max.
Typ.
150
100
50
Max.
Typ.
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0
10
12
14
16
18
20
Temperature (°C)
Figure 9A. Shutdow n Time vs. Temperature
400
300
250
200
V CC /V BS Supply Voltage (V)
Figure 9B. Shutdown Delay Time
vs. V CC /V BS Supply Voltage
200
Max.
150
Max.
100
100
0
Typ.
50
0
Typ.
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25 50 75
100 125
V D D S upply V oltage (V )
Figure 9C. Shutdown Time vs. V DD Supply Voltage
250
200
Max.
Temperature (°C)
Figure 10A. Turn-On Rise Time vs. Temperature
125
100
150
100
75
50
Max.
50
0
Typ.
25
0
Typ.
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
8
VBIAS Supply Voltage (V)
Figure 10B. Turn-On Rise Time vs. Voltage
Tem perature (°C)
Figure 11A Turn-On Fall Time vs. Temperature
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IR21141SSPBF | IC DRVR HALF BRIDGE 600V 24-SSOP |
| IR2118PBF | IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8-DIP |
| IR2121PBF | IC MOSFET DRIVER LOW SIDE 8DIP |
| IR2122 | IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8-DIP |
| IR2125PBF | IC MOSFET DRIVER LIMITING 8-DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2112-2 | 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2112-2PBF | 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16DIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR2112PBF | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2112S | 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2112SPBF | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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