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参数资料
| 型号： | IR2112 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP |
| 标准包装： | 25 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 125ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 14-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 14-DIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IR2112 |
Data Sheet No. PD60026 revS
IR2112( - 1 - 2)(S)PbF
HIGH AND LOW SIDE DRIVER
Features
? Floating channel designed for bootstrap operation
? Fully operational to +600V
? Tolerant to negative transient voltage
dV/dt immune
? Gate drive supply range from 10 to 20V
? Undervoltage lockout for both channels
? 3.3V logic compatible
Separate logic supply range from 3.3V to 20V
Logic and power ground ±5V offset
? CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
? Cycle by cycle edge-triggered shutdown logic
? Matched propagation delay for both channels
? Outputs in phase with inputs
Description
The IR2112(S) is a high voltage, high speed power
MOSFET and IGBT driver with independent high and
low side referenced output channels. Proprietary HVIC
and latch immune CMOS technologies enable rugge-
Product Summary
V OFFSET 600V max.
I O +/- 200 mA / 420 mA
V OUT 10 - 20V
t on/off (typ.) 125 & 105 ns
Delay Matching 30 ns
Packages
16-Lead SOIC (wide body)
14-Lead PDIP
dized monolithic construction. Logic inputs are com-
patible with standard CMOS or LSTTL outputs, down to 3.3V logic.
The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction.
Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating channel can be
used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600
volts.
Typical Connection
HO
up to 600V
V DD
V DD
V B
HIN
HIN
V S
TO
SD
LIN
V SS
V CC
SD
LIN
V SS
V CC
COM
LO
LOAD
(Refer to Lead Assignments for correct pin configuration). This/These diagram(s) show electrical connections only.
Please refer to our Application Notes and DesignTips for proper circuit board layout.
www.irf.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-J3L-CW-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 28V 100W |
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| IR2104 | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-DIP |
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| AT24C128B-PU | IC EEPROM 128KBIT 1MHZ 8DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2112-1 | 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2112-1PBF | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2112-2 | 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2112-2PBF | 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16DIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR2112PBF | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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