参数资料
型号: IR2112STRPBF
厂商: International Rectifier
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描述: IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC
标准包装: 1
配置: 高端和低端,独立
输入类型: 非反相
延迟时间: 125ns
电流 - 峰: 250mA
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC
包装: 标准包装
其它名称: IR2112SPBFDKR
IR2112( - 1 - 2)(S)PbF
Functional Block Diagram
V B
UV
V DD
DETECT
R
Q
HIN
R Q
S
V DD /V CC
LEVEL
HV
LEVEL
SHIFT
PULSE
FILTER
R
S
HO
SD
SHIFT
PULSE
GEN
UV
V S
V CC
LIN
V SS
S
R Q
V DD /V CC
LEVEL
SHIFT
DETECT
DELAY
LO
COM
Lead Definitions
Symbol
V DD
HIN
SD
LIN
V SS
V B
HO
V S
V CC
LO
COM
4
Description
Logic supply
Logic input for high side gate driver output (HO), in phase
Logic input for shutdown
Logic input for low side gate driver output (LO), in phase
Logic ground
High side floating supply
High side gate drive output
High side floating supply return
Low side supply
Low side gate drive output
Low side return
www.irf.com
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PDF描述
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IRS21271PBF IC DVR CURR SENSE 1CH 600V 8DIP
ABM8G-13.560MHZ-18-D2Y-T CRYSTAL 13.560 MHZ 18 PF SMD
IRS210614STRPBF IC DVR HI/LOW SIDE 600V SO-14
相关代理商/技术参数
参数描述
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IR2113-1 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2113-1PBF 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 2A 120ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2113-2 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2113-2PBF 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 2A 120ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube