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参数资料
| 型号： | IR2113STRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 14/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 120ns |
| 电流 - 峰： | 2.5A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1381 (CN2011-ZH PDF) |
IR2110( - 1 - 2)(S)PbF/IR2113( - 1 - 2)(S)PbF
150
320V
150
320V
140V
125
100
75
50
25
140V
10V
125
100
75
50
25
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0
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
0
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
Frequency (Hz)
Figure 29. IR2110/IT2113 T J vs. Frequency
(IRFBC30) R GATE = 22 ? , V CC = 15V
Frequency (Hz)
Figure 30. IR2110/IR2113 T J vs. Frequency
(IRFBC40) R GATE = 15 ? , V CC = 15V
150
320V
140V
150
320V
140V
125
125
100
10V
100
75
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0
75
50
25
0
10V
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
Frequency (Hz)
Figure 31. IR2110/IR2113 T J vs. Frequency
(IRFPE50) R GATE = 10 ? , V CC = 15V
Frequency (Hz)
Figure 32. IR2110S/IR2113S T J vs. Frequency
(IRFBC20) R GATE = 33 ? , V CC = 15V
150
125
320V
140V
150
125
320V 140V
10V
100
75
50
25
0
10V
100
75
50
25
0
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
14
Frequency (Hz)
Figure 33. IR2110S/IR2113S T J vs. Frequency
(IRFBC30) R GATE = 22 ? , V CC = 15V
Frequency (Hz)
Figure 34. IR2110S/IR2113S T J vs. Frequency
(IRFBC40) R GATE = 15 ? , V CC = 15V
www.irf.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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