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参数资料
| 型号： | IR2117PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC HIGH SIDE DRIVER SGL 8-DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 125ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1381 (CN2011-ZH PDF) |
IR2117(S)/IR2118(S) & (PbF)
Lead Definitions
Symbol
V CC
IN
IN
COM
V B
HO
V S
Description
Logic and gate drive supply
Logic input for gate driver output (HO), in phase with HO (IR2117)
Logic input for gate driver output (HO), out of phase with HO (IR2118)
Logic ground
High side floating supply
High side gate drive output
High side floating supply return
Lead Assignments
1
2
3
VCC
IN
COM
VB
HO
VS
8
7
6
1
2
3
VCC
IN
COM
VB
HO
VS
8
7
6
4
8 Lead PDIP
IR2117
5
4
8 Lead SOIC
IR2117S
5
1
2
3
VCC
IN
COM
VB
HO
VS
8
7
6
1
2
3
VCC
IN
COM
VB
HO
VS
8
7
6
www.irf.com
4
8 Lead PDIP
IR2118
5
4
8 Lead SOIC
IR2118S
5
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2117S | 功能描述:IC MOSFET DRIVER SGL-CH 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2117SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 1 HI SIDE DRVR NONINVERTING INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2117STR | 功能描述:IC MOSFET DRIVER SGL-CH 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2117STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Single Ch DRVR 600V 200mA 125ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2118 | 功能描述:IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
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