参数资料
型号: IR2117STRPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 9/18页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DRIVER 1CHANNEL 8SOIC
标准包装: 1
配置: 高端
输入类型: 非反相
延迟时间: 125ns
电流 - 峰: 250mA
配置数: 1
输出数: 1
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 标准包装
其它名称: IR2117SPBFDKR
IR2117(S)/IR2118(S) & (PbF)
13
12
11
10
18
15
12
9
9
8
M in.
6
3
M in.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
Temperature ( o C)
Figure 8A. Logic "1" (IR2118 "0") Input Voltage
vs. Tem perature
9
8
7
M ax.
V cc Supply Voltage (V)
Figure 8B. Logic "1" (IR2118 "0") Input Voltage
vs. Supply Voltage
15
12
9
6
5
4
6
3
0
M ax.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
Temperatre ( C)
o
Figure 9A. Logic "0" (IR2118 "1") Input Voltage
vs. Tem perature
www.irf.com
V cc Supply Voltage (V)
Figure 9B. Logic "0" (IR2118 "1") Input Voltage
vs. Supply Voltage
9
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参数描述
IR2118 功能描述:IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2118PBF 功能描述:功率驱动器IC 1 HI SIDE DRVR INVERTING INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2118S 功能描述:IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
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