参数资料
型号: IR2118PBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 6/18页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8-DIP
标准包装: 50
配置: 高端
输入类型: 反相
延迟时间: 125ns
电流 - 峰: 250mA
配置数: 1
输出数: 1
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 8-DIP
包装: 管件
IR2117(S)/IR2118(S) & (PbF)
IN
(IR2118)
IN
(IR2117)
HO
Figure 1. Input/Output Timing Diagram
<50 V/ns
IR2117/IR2118
Figure 2. Floating Supply Voltage Transient Test Circuit
IN
(IR2118)
IN
50%
50%
50%
50%
(IR2117)
t on
t r
t off
t f
IR2117/IR2118
HO
10%
90%
90%
10%
6
Figure 3. Switching Time Test Circuit
Figure 4. Switching Time Waveform Definition
www.irf.com
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PDF描述
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参数描述
IR2118S 功能描述:IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2118SPBF 功能描述:功率驱动器IC 1 HI SIDE DRVR INVERTING INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2118STR 功能描述:IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2118STRPBF 功能描述:功率驱动器IC 1 HI SIDE DRVR INVERTING INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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