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参数资料
| 型号： | IR2121PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER LOW SIDE 8DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 150ns |
| 电流 - 峰： | 1.6A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 12 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IR2121PBF |
IR2121 & (PbF)
Dynamic Electrical Characteristics
V BIAS (V CC ) = 15V, C L = 3300 pF and T A = 25 ° C unless otherwise specified. The dynamic electrical characteristics are
defined in Figures 2 through 5.
Parameter
Value
Symbol
Definition
Figure Min. Typ. Max. Units Test Conditions
t on
t off
t sd
t r
t f
t cs
t err
Turn-On Propagation Delay
Turn-Off Propagation Delay
ERR Shutdown Propagation Delay
Turn-On Rise Time
Turn-Off Fall Time
CS Shutdown Propagation Delay
CS to ERR Pull-Up Propagation Delay
7
8
9
10
11
12
13
—
—
—
—
—
—
—
150
200
1.7
43
26
0.7
9.0
200
250
2.2
60
35
1.2
12
ns
μ s
ns
μ s
V IN = 0 & 5V
C ERR = 270 pF
Static Electrical Characteristics
V BIAS (V CC ) = 15V and T A = 25 ° C unless otherwise specified. The V IN , V TH and I IN parameters are referenced to COM.
The V O and I O parameters are referenced to V S .
Parameter
Value
Symbol
Definition
Figure Min. Typ. Max. Units Test Conditions
V IH
V IL
V CSTH+
Logic “1” Input Voltage
Logic “0” Input Voltage
CS Input Positive Going Threshold
14
15
16
2.2
—
150
—
—
230
—
0.8
320
V
V CSTH-
V OH
V OL
I QCC
I IN+
I IN-
I CS+
I CS-
V CCUV+
V CCUV-
CS Input Negative Going Threshold
High Level Output Voltage, V BIAS - V O
Low Level Output Voltage, V O
Quiescent V CC Supply Current
Logic “1” Input Bias Current
Logic “0” Input Bias Current
“High” CS Bias Current
“Low” CS Bias Current
V CC Supply Undervoltage Positive Going
Threshold
V CC Supply Undervoltage Negative Going
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
130
—
—
—
—
—
—
—
8.3
7.3
210
—
—
1.1
4.5
—
4.5
—
8.9
8.0
300
100
100
2.2
10
1.0
10
1.0
9.6
8.7
mV
mA
μ A
V
I O = 0A
I O = 0A
V IN = V CS = 0V or 5V
V IN = 5V
V IN = 0V
V CS = 3V or 5V
V CS = 0V
Threshold
I ERR
I ERR+
ERR Timing Charge Current
ERR Pull-Up Current
27
28
65
8.0
100
15
130
—
μ A
V IN = 5V, V CS = 3V
ERR < V ERR+
V IN = 5V, V CS = 3V
mA
ERR > V ERR+
I ERR-
I O+
ERR Pull-Down Current
Output High Short Circuit Pulsed Current
29
30
16
1.0
30
1.6
—
—
V IN = 0V
V O = 0V, V IN = 5V
I O-
Output Low Short Circuit Pulsed Current
31
2.0
3.3
—
A
PW ≤ 10 μ s
V O = 15V, V IN = 0V
PW ≤ 10 μ s
www.irf.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IR2122 | IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8-DIP |
| IR2125PBF | IC MOSFET DRIVER LIMITING 8-DIP |
| IR21271PBF | IC DRIVER 600V 200/420MA 8-DIP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IR2122S | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:CURRENT SENSING SINGLE CHANNEL DRIVER |
| IR2125 | 功能描述:IC MOSFET DRIVER LIMITING 8-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
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