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参数资料
| 型号： | IR21271STRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 9/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER CURR SENSE 1CHAN 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 200ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 9 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IR21271SPBFDKR |
IR2127(S) / IR21271(S) / IR2128(S) & (PbF)
500
400
M ax
500
400
M AX.
300
200
100
0
.
Typ.
300
200
100
0
Typ.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
Vcc Vcc Supply Voltage (V)
Supply
Temperature ( o C)
Figure 15A CS Shutdown Propagation Delay
vs. Temperature
800
700
Voltage(V)
Figure 15B CS Shutdown Propagation Delay
vs. Voltage
800
700
600
600
Max.
500
400
300
200
100
0
Max.
Typ
500
400
300
200
100
0
Typ
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12 14 16
18
20
Temperature ( o C)
Figure 16A CS to FAULT Pull-Up Propagation Delay
vs. Temperature
8
7
6
5
VCC Supply Voltage (V)
Figure 16B CS to FAULT Pull-Up Propagation Delay
vs. Voltage
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Min.
4
3
2
1
0
Min.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12 14 16
18
20
Temperature ( o C)
Figure 17A Logic “1” Input Voltage (IR2127)
Logic “0” Input Voltage (IR2128)
vs Temperature
www.irf.com
VCC Supply Voltage (V) (V)
Figure 17B Logic “1” Input Voltage (IR2127)
Logic “0” Input Voltage (IR2128)
vs Voltage
9
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IR2127PBF | 功能描述:功率驱动器IC 1 HI SIDE DRVR NONINVERTING INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2127S | 功能描述:IC MOSFET DRIVER CUR-SENSE 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2127SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 1 HI SIDE DRVR NONINVERTING INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2127STR | 功能描述:IC MOSFET DRIVER CUR-SENSE 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
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