参数资料
型号: IR2132JTR
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC
标准包装: 500
配置: 3 相桥
输入类型: 反相
延迟时间: 675ns
电流 - 峰: 250mA
配置数: 1
输出数: 3
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 44-PLCC(32 引线)
供应商设备封装: 44-PLCC,32 引线
包装: 带卷 (TR)
IR2132
Device Information
Process & Design Rule
Transistor Count
Die Size
Die Outline
Thickness of Gate Oxide
HVDCMOS 4.0 μm
700
126 X 175 X 26 (mil)
800 ?
Connections
First
Layer
Second
Layer
Material
Width
Spacing
Thickness
Material
Width
Spacing
Poly Silicon
4 μm
6 μm
5000?
Al - Si (Si: 1.0% ±0.1%)
6 μm
9 μm
Contact Hole Dimension
Thickness
20,000?
8 μm X 8 μm
Insulation Layer
Passivation
(1)
Passivation
(2)
Method of Saw
Method of Die Bond
Wire Bond
Leadframe
Package
Remarks:
* Patent Pending
Material
Thickness
Material
Thickness
Material
Thickness
Method
Material
Material
Die Area
Lead Plating
Types
Materials
PSG (SiO 2 )
1.5 μm
PSG (SiO 2 )
1.5 μm
Proprietary*
Proprietary*
Full Cut
Ablebond 84 - 1
Thermo Sonic
Au (1.0 mil / 1.3 mil)
Cu
Ag
Pb : Sn (37 : 63)
28 Lead PDIP & SOIC / 44 Lead PLCC
EME6300 / MP150 / MP190
B-170 C ONTROL I NTEGRATED C IRCUIT D ESIGNERS? M ANUAL
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PDF描述
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参数描述
IR2132JTRPBF 功能描述:功率驱动器IC 3 PHASE DRVR INVERTING INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2132PbF 功能描述:功率驱动器IC 3 PHASE DRVR INVERTING INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2132S 功能描述:IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2132SPbF 功能描述:功率驱动器IC 3 PHASE DRVR INVERTING INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2132STR 功能描述:IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127