- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录331 > IR2132JTRPBF (International Rectifier)IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IR2132JTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 14/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 675ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 44-PLCC（32 引线） |
| 供应商设备封装： | 44-PLCC，32 引线 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1381 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IR2132JTRPBFDKR |
IR2130/IR2132(J)(S) & (PbF)
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
0.00
Max.
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
0.00
Max.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
Temperature (°C)
Figure 24A. High Level Output vs. Temperature
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
Max.
0.00
V BIAS Supply Voltage (V)
Figure 24B. High Level Output vs. Voltage
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
Max.
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
Temperature (°C)
Figure 25A. Low Level Output vs. Temperature
500
400
300
200
100
500
400
300
200
100
V BIAS Supply Voltage (V)
Figure 25B. Low Level Output vs. Voltage
Max.
Max.
0
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0
100
200
300
400
500
600
14
Temperature (°C)
Figure 26A. Offset Supply Leakage Current
vs. Temperature
V B Boost Voltage (V)
Figure 26B. Offset Supply Leakage Current vs. Voltage
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IR2132JTR | IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC |
| IR21363JPBF | IC DRIVER 3-PHASE 44-PLCC |
| IR21364JTRPBF | IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 44-PLCC |
| IR2136JPBF | IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 44PLCC |
| IR2151STR | IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2132PbF | 功能描述:功率驱动器IC 3 PHASE DRVR INVERTING INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2132S | 功能描述:IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2132SPbF | 功能描述:功率驱动器IC 3 PHASE DRVR INVERTING INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2132STR | 功能描述:IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR2132STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3 PHASE DRVR INVERTING INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。