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参数资料
| 型号： | IR2135 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 21/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-DIP |
| 标准包装： | 13 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 750ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 28-DIP（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 28-DIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IR2135 |
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IR2133/IR2135/IR2233 / IR2235(J & S )&(PbF)
150
120
90
Typ.
150
120
90
Typ.
60
30
0
M in.
60
30
0
M in.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12.5
15
17.5
20
Temperature ( o C)
Figure 46A. Amplifier Common Mode Rejection
Ratio vs. Temperature
125
100
Supply Voltage (V)
Figure 46B. Amplifier Common Mode Rejection
Ratio vs. Supply Voltage
125
100
75
Typ.
75
Typ.
50
25
0
M in.
50
25
0
M in.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12.5
15
17.5
20
Temperature ( C)
o
Figure 47A. Amplifier Pow er Supply Rejection
Ratio vs. Temperature
6.0
5.7
M ax.
Supply Voltage (V)
Figure 47B. Amplifier Power Supply Rejection
Ratio vs. Supply Voltage
50
40
5.4
Typ.
30
5.1
4.8
4.5
M in.
20
10
0
M ax.
10
12.5
15
17.5
20
10
12.5
15
17.5
20
Supply Voltage (V)
Figure 48. Amplifier High Level Output Voltage
vs. Supply Voltage
www.irf.com
Supply Voltage (V)
Figure 49. Amplifier Low Level Output Voltage
vs. Supply Voltage
21
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T95Z336M010LSAL | CAP TANT 33UF 10V 20% 2910 |
| IR2133S | IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC |
| IR2132S | IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC |
| R0.25S-3.305/HP-R | CONV DC/DC 0.25W 3.3V IN 5V OUT |
| LQW18ANR27J00D | INDUCTOR 270NH 110MA 0603 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2135J | 功能描述:IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2135JPbF | 功能描述:功率驱动器IC 3 PHASE DRVR HI & LO SIDE INPUTS RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2135JTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3Phs Drvr Hi&Lw Sd Inpt 200ns Deadtime RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2135PBF | 功能描述:功率驱动器IC 3Phs Drvr Hi&Lw Sd Inpt 200ns Deadtime RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2135S | 功能描述:IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
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