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参数资料
| 型号： | IR2135JPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 23/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC |
| 标准包装： | 27 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 750ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 44-PLCC（32 引线） |
| 供应商设备封装： | 44-PLCC，32 引线 |
| 包装： | 管件 |
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IR2133/IR2135/IR2233 / IR2235(J & S )&(PbF)
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Figure 7. IR2133J Junction Temperature vs
Frequency Driving (IRGPC20KD2) Rgate = 5.1 ? @
Vcc = 15V
Frequency (Hz)
Figure 8. IR2133J Junction Temperature vs
Frequency Driving (IRGPC30KD2) Rgate = 5.1 ? @
Vcc = 15V
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Frequency (Hz)
Figure 9. IR2133J Junction Temperature vs
Frequency Driving (IRGPC40KD2) Rgate = 5.1 ? @
Vcc = 15V
www.irf.com
Frequency (Hz)
Figure 10. IR2133J Junction Temperature vs
Frequency Driving (IRGPC50KD2) Rgate = 5.1 ? @
Vcc = 15V
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IR2135PBF | 功能描述:功率驱动器IC 3Phs Drvr Hi&Lw Sd Inpt 200ns Deadtime RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2135S | 功能描述:IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2135SPbF | 功能描述:功率驱动器IC 3 PHASE DRVR HI & LO SIDE INPUTS RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2135STR | 功能描述:IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
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