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参数资料
| 型号： | IR21364STRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 13/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 28-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 500ns |
| 电流 - 峰： | 200mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 11.5 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-SOIC W |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1381 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IR21364STRPBFDKR |
IR21364(S&J)PbF
800
700
600
800
700
600
500
400
300
200
100
0
EXP.
p.
500
400
300
200
100
0
Exp.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( o C)
Fig. 23. ITRIP Input Positive Going Threshold
vs. Temperature
600
Temperature ( o C)
Fig. 24. ITRIP Input Negative Going Threshold
vs. Temperature
1600
500
1200
400
300
800
Exp.
Exp.
200
400
100
0
0
-50
-25
0
25 50
Temperature ( o C)
75
100
125
-50
-25
0
25 50
Temperature ( o C)
75
100
125
120
100
80
Fig. 25. Low Level Output Voltage vs.
Temperature
2.5
2.0
1.5
Fig. 26. High Level Output Voltage vs.
Temperature
60
1.0
40
Exp.
20
0.5
Exp.
0
0.0
Temperature ( C)
-50
-25
0
25 50
o
75
100
125
-50
-25
0
25 50
Temperature ( o C)
75
100
125
Fig. 27. FAULT Low On-Resistance vs.
Temperature
www.irf.com
13
Fig. 28. Offset Supply Leakage Current vs.
Temperature
? 2009 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRS2336DSTRPBF | IC GATE DRIVER HV 3PHASE 28-SOIC |
| IR2118SPBF | IC MOSFET DRIVER HIGH SIDE 8SOIC |
| IRS2336DMTRPBF | IC GATE DRIVER HV 3PHASE 48-MLPQ |
| IRS2186SPBF | IC DRIVER HI/LO SIDE 600V 8-SOIC |
| IRS21084SPBF | IC DRIVER HALF-BRIDGE 14-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR21365 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:3-PHASE BRIDGE DRIVER |
| IR21365C | 制造商:International Rectifier 功能描述:IC MOSFET DRIVER HALF BRIDGE DIP-28 |
| IR21365J | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:3-PHASE BRIDGE DRIVER |
| IR21365JPbF | 功能描述:功率驱动器IC 3 PHASE DRVR HI & LO SIDE INPUTS RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR21365JTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3Phs Drvr Sft Trn On Invrt 200ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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