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参数资料
| 型号： | IR21814 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 12/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HI/LOW 600V 1.9A 14DIP |
| 标准包装： | 25 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 180ns |
| 电流 - 峰： | 1.9A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 14-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 14-DIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IR21814 |
IR2181 ( 4 ) (S) & (PbF)
500
400
300
M ax.
500
400
300
M ax.
200
Typ.
200
Typ.
100
0
M in.
100
0
M in.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
120
100
80
60
Temperature ( o C)
Figure 14A. V CC Supply Current
vs. V CC Temperature
120
100
80
60
V CC Supply Voltage (V)
Figure 14B. V CC Supply Current
vs. V CC Supply Voltage
40
M ax.
40
M ax.
20
0
Typ.
20
0
Typ.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
12
Temperature ( o C)
Figure 15A. Logic "1" Input Bias Current
vs. Temperature
Supply Voltage (V)
Figure 15B. Logic "1" Input Bias Current
vs. Supply Voltage
www.irf.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IR21814STR | 功能描述:IC DRIVER HIGH/LOW 600V 14-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR21814STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr Sft Trn On Non Invrt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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