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参数资料
| 型号： | IR21814PbF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
| 中文描述： | 高端和低端驱动 |
| 文件页数： | 4/21页 |
| 文件大小： | 364K |
| 代理商： | IR21814PBF |
IR2181
(
4
) (S) & (PbF)
4
www.irf.com
Functional Block Diagrams
2181
LIN
UV
DETECT
DELAY
HIN
VS
HO
VB
PULSE
FILTER
HV
LEVEL
SHIFTER
R
R
S
Q
UV
DETECT
PULSE
GENERATOR
VSS/COM
LEVEL
SHIFT
VSS/COM
LEVEL
SHIFT
COM
LO
VCC
21814
LIN
UV
DETECT
DELAY
COM
LO
VCC
HIN
VSS
VS
HO
VB
PULSE
FILTER
HV
LEVEL
SHIFTER
R
R
S
Q
UV
DETECT
PULSE
GENERATOR
VSS/COM
LEVEL
SHIFT
VSS/COM
LEVEL
SHIFT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IR21814SPbF | HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
| IR2181PbF | HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
| IR2181SPbF | HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
| IR21814SPBF | HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
| IR2181PBF | HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR21814S | 功能描述:IC DRIVER HI/LO 600V 1.9A 14SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR21814SPBF | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 10 to 20V 1.4A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR21814STR | 功能描述:IC DRIVER HIGH/LOW 600V 14-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR21814STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr Sft Trn On Non Invrt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2181PBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr Soft Trn On Non Invrt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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