参数资料
型号: IR21844PBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 17/24页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14-DIP
标准包装: 25
配置: 半桥
输入类型: 非反相
延迟时间: 680ns
电流 - 峰: 1.9A
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: 14-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 14-DIP
包装: 管件
IR2184 ( 4 )(S) & (PbF)
5
4
3
140
120
100
80
140v
2
1
0
Typ.
M in.
60
40
20
70v
0v
10
12
14
16
18
20
1
10
100
1000
140
120
Supply Voltage (V)
Figure 24B. Output Sink Current
vs. Supply Voltage
Frequency (KHz)
Fig u re 21. IR 2181 vs . Fre q u e n cy (IR FB C 20),
R gate =33 ? , V C C =15V
140
120
100
100
140v
80
140v
80
70v
70v
60
40
20
0v
60
40
20
0v
1
10
100
1000
1
10
100
1000
Frequency (KHz)
Fig u re 22. IR 2181 vs . Fre q u e n cy (IR FB C 30),
R gate =22 ? , V C C =15V
www.irf.com
Frequency (KHz)
Fig u re 23. IR 2181 vs . Fre q u e n cy (IR FB C 40),
R gate =15 ? , V C C =15V
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PDF描述
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参数描述
IR21844S 功能描述:IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR21844SPBF 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 10 to 20V 1.4A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR21844STRPBF 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 10 to 20V 1.4A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR21844STRPBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IR2184PBF 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 10 to 20V 1.4A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube