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参数资料
| 型号： | IR2213SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC |
| 标准包装： | 45 |
| 配置： | 高端和低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 280ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 1200V |
| 电源电压： | 12 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IR2213SPBF |
IR2213(S)PBF
Dynamic Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS , V DD ) = 15 V, C L = 1000 pF, T A = 25 °C and V SS = COM unless otherwise specified. The dynamic
electrical characteristics are measured using the test circuit shown in Figure 3.
Symbol
Definition
Min.
Typ.
Max.
Units
Test Conditions
t on
t off
t sd
t r
t f
MT
Turn-On Propagation Delay
Turn-Off Propagation Delay
Shutdown Propagation Delay
Turn-On Rise Time
Turn-Off Fall Time
Delay Matching, HS & LS Turn-
On/Off
—
—
—
—
—
—
280
225
230
25
17
—
—
—
—
—
—
30
ns
V S = 0V
V S = 1200V
V S = 1200V
Static Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS , V DD ) = 15 V, T A = 25 °C and V SS = COM unless otherwise specified. The V IN , V TH and I IN
parameters are referenced to V SS and are applicable to all three logic input leads: HIN, LIN and SD. The V O and
I O parameters are referenced to COM and are applicable to the respective output leads: HO or LO.
Symbol
V IH
V IL
V OH
V OL
I LK
I QBS
I QCC
I QDD
I IN+
I IN-
V BSUV+
V BSUV-
V CCUV+
V CCUV-
I O+
I O-
Definition
Logic ―1‖ Input Voltage
Logic ―0‖ Input Voltage
High Level Output Voltage, V BIAS - V O
Low Level Output Voltage, V O
Offset Supply Leakage Current
Quiescent V BS Supply Current
Quiescent V CC Supply Current
Quiescent V DD Supply Current
Logic ―1‖ Input Bias Current
Logic ―0‖ Input Bias Current
V BS Supply Undervoltage Positive
Going Threshold
V BS Supply Undervoltage Negative
Going Threshold
V CC Supply Undervoltage Positive
Going Threshold
V CC Supply Undervoltage Negative
Going Threshold
Output High Short Circuit Pulsed
Current
Output Low Short Circuit Pulsed
Current
Min.
9.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.7
7.9
8.7
7.9
1.7
2.0
Typ.
—
—
—
—
—
125
180
15
20
—
10.2
9.3
10.2
9.3
2.0
2.5
Max.
—
6.0
1.2
0.1
50
230
340
30
40
1.0
11.7
10.7
11.7
10.7
—
—
Units
V
μA
V
A
Test Conditions
I O = 0A
I O = 0A
V B = V S = 1200V
V IN = 0V or V DD
V IN = 0V or V DD
V IN = 0V or V DD
V IN = V DD
V IN = 0V
V O = 0V, V IN = V DD
PW ≤ 10 μs
V O = 15V, V IN = 0V
PW ≤ 10 μs
4
www.irf.com
? 2014 International Rectifier
February 4, 2014
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IR22141SSPBF | 功能描述:功率驱动器IC 200V HALF BRDG DRVR IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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