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参数资料
| 型号： | IR22141SSTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR HALF BRIDGE IC 24SSOP |
| 标准包装： | 2,000 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 440ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 1200V |
| 电源电压： | 11.5 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 24-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 24-SSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 配用： | IRMD2214SS-ND - KIT DESIGN EVAL BOARD IR2214SS IRMD22141SS-ND - KIT DESIGN EVAL BOARD/IR22141SS |
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Data Sheet No. PD60349 revL
IR21141SSPbF/IR22141SSPbF
HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC
Features
Product Summary
?
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?
?
?
?
Floating channel up to 600 V or 1200 V
Soft over-current shutdown
Synchronization signal to synchronize shutdown with the other phases
Integrated desaturation detection circuit
Two stage turn on output for di/dt control
Separate pull-up/pull-down output drive pins
Matched delay outputs
Undervoltage lockout with hysteresis band
V OFFSET
I O +/- (min)
V OUT
Deadtime matching (max)
Deadtime (typ)
Desat blanking time (typ)
600 V or
1200 V max.
1.0 A / 1.5 A
10.4 V – 20 V
75 ns
330 ns
3 μs
? Lead free
Description
The IR21141/IR22141 gate driver family is suited to drive a single half bridge
in power switching applications. These drivers provide high gate driving
capability (2 A source, 3 A sink) and require low quiescent current, which
allows the use of bootstrap power supply techniques in medium power
systems. These drivers feature full short circuit protection by means of power
transistor desaturation detection and manage all half-bridge faults by
smoothly turning off the desaturated transistor through the dedicated soft
shutdown pin, therefore preventing over-voltages and
reducing
electromagnetic emissions. In multi-phase systems, the IR21141/IR22141
drivers communicate using a dedicated local network (SY_FLT and
FAULT/SD signals) to properly manage phase-to-phase short circuits. The
system controller may force shutdown or read device fault state through the
3.3 V compatible CMOS I/O pin (FAULT/SD). To improve the signal immunity
from DC-bus noise, the control and power ground use dedicated pins
enabling low-side emitter current sensing as well. Undervoltage conditions in
floating and low voltage circuits are managed independently.
Typical connection
DSH, DSL input voltage
threshold (typ)
Soft shutdown time (typ)
Package
24-Lead SSOP
8.0 V
9.25 μs
www.irf.com
14-Aug-09
1
? 2009 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RPM30-483.3SEW/N-DIN | CONV DC/DC 30W 18-75VIN 3.3VOUT |
| UB225SKG036CF | SWITCH PUSH DPDT 0.4VA 28V |
| UB225KKG016CF | SWITCH PUSH DPDT 0.4VA 28V |
| LB25WKG01-CJ | SWITCH PUSH DPDT 0.4VA 28V |
| LB26RKG01-5F-JB | SWITCH PUSH DPDT 0.4VA 28V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2214SS | 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE SGL 24SSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR2214SSPBF | 功能描述:功率驱动器IC 1200V HALF BRDG DRVR IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2214SSPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Driver IC |
| IR2214SSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr IC for Pwr Swtch App RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2233 | 功能描述:IC DRIVER 3-PHASE BRIDGE 28-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
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