型号: | IR255SG06H |
元件分类: | 晶闸管 |
英文描述: | 600 V, SCR |
封装: | 4 INCH, WAFER |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 126K |
代理商: | IR255SG06H |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IR255SG12H | 1200 V, SCR |
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IRKN230-18PBF | 510 A, 1800 V, SCR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IR25600PBF | 功能描述:功率驱动器IC Dual Low Side Driver 6V to 20V 1.5A 85ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
IR25600SPBF | 功能描述:功率驱动器IC Dual Low Side Driver 6V to 20V 1.5A 85ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
IR25600SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:DRIVER, MOSFET/IGBT, LOW SIDE, SOIC-8 |
IR25600STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Dual Low Side Driver 6V to 20V 1.5A 85ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
IR25601SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 2Ch 600V Half Bridge 60mA 10-20V 50ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |