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参数资料
| 型号： | IR3092MPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 30/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC VID VOLTAGE PROGRAMMER 48MLPQ |
| 标准包装： | 100 |
| 应用： | VID 电压编程器 |
| 电源电压： | 7.3 V ~ 21 V |
| 电流 - 电源： | 29mA |
| 工作温度： | 0°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 48-MLPQ |
| 供应商设备封装： | 48-MLPQ（7x7） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
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IR3092PbF
MathCAD file to estimate the power dissipation of the IC
Initial Conditions:
No.of Phases: n 2
IC Supply Voltage: Vcc 12 ( V ) , IC Supply Current(quiescent): Icq
Biasout Voltage: Vbias 7.5 ( V )
Switching Frequency per phase: fsw 200 ( kHz )
Thermal Impedance of IC: T JA 27 (oC/W)
Total High side Driver VCCH supply current(quiescent): Iqh 5 ? n ( mA )
Total Low side Driver VCCL supply Current(quiescent): Iql 5 ? n ( mA )
29 ( mA )
The data from the selected MOSFETs:
Control FET IR3715Z, Number of Control FET per phase:
Control FET total gate charge: Qgc 11 ( nC )
Synchronous FET IR3717, Number of sync. FET per phase:
Sync FET total gate charge: Qgs 33 ( nC )
nc 2
ns 2
The IC will have less power dissipation if using external gate driver supply. For the worst case estimation,
assume using the bias regulator for all the gate drive supply voltage.
1. Quiescent Power dissipation
Total Quiescent Power Dissipation:
Pq ( Icq Iqh Iql ) ? Vcc ? 10
3
Pq
0.588 ( W )
Pdrv Vbias ? fsw ? 10 ? n ? a? ( nc ? Qgc ns ? Qgs ) ? 10 9 o
Pdrv
0.264
( W )
Where the Ig fsw ? 10 ? n ? ( nc ? Qgc ns ? Qgs ) ? 10
term in the equation gives the total average
2. The Power Loss to drive the gate of the MOSFETs
With the assumption of the low MOSFET gate resistances, most gate drive losses are dissipated in the
driver circuit.
3
3 9
bias current required to drive all the MOSFETs.
3. The bias regulator Power Loss to supply driving the MOSFETs
Preg ( Vcc Vbias ) ? Ig
Preg
0.158
( W )
4. Total Power Dissipation of the IC:
Pdiss Pq Pdrv Preg
And the total Junction temperature rising is:
Page 30 of 37
Pdiss 1.01
Pdiss ? T JA 27.281
(
( W )
oC)
09/07/05
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PDF描述 |
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参数描述 |
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