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参数资料
| 型号： | IR4427SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | DUAL LOW SIDE DRIVER |
| 中文描述： | 双低侧驱动器 |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | IR4427SPBF |
6
IR4426/IR4427/IR4428(S) & (PbF)
ADVANCE INFORMATION
www.irf.com
Lead Definitions
Symbol Description
V
S
Supply voltage
GND
Ground
INA
Logic input for gate driver output (OUTA), out of phase (IR4426, IR4428), in phase (IR4427)
INB
Logic input for gate driver output (OUTB), out of phase (IR4426), in phase (IR4427, IR4428)
OUTA
Gate drive output A
OUTB
Gate drive output B
Functional Block Diagram IR4428
PREDRV
DRV
PREDRV
DRV
GND
OUTB
OUTA
Vs
INB
INA
Vs
5V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IR4428 | DUAL LOW SIDE DRIVER |
| IR4428PBF | DUAL LOW SIDE DRIVER |
| IR4428S | DUAL LOW SIDE DRIVER |
| IR4428SPBF | DUAL LOW SIDE DRIVER |
| IR5001 | UNIVERSAL ACTIVE ORING CONTROLLER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR4427SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:IC MOSFET DRIVER LOW-SIDE SOIC-8 制造商:International Rectifier 功能描述:IC, MOSFET DRIVER, LOW SIDE, SOIC-8 |
| IR4427STR | 功能描述:IC DRIVER DUAL LOW SIDE 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR4427STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Dual Lw Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR4428 | 功能描述:IC DRIVER DUAL LOW SIDE 8-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR4428PBF | 功能描述:功率驱动器IC Dual Low Side DRVR 6V to 20V 1.5A 85ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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