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参数资料
| 型号： | IR51H224 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC HALF BRIDGE SELF-OSC 9-SIP |
| 标准包装： | 21 |
| 类型： | 半桥 |
| 输入类型： | 反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 1.1 欧姆 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 1.1A |
| 电源电压： | 10 V ~ 15.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 9-SIP（7 引线） |
| 供应商设备封装： | 9-SIP，7 引线 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IR51H224 |
IR51H(D)224
IR51H(D)320
(NOTE: For new designs, we
recommend the IR53H(D)420-P)
IR51H(D)420
Static Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V B ) = 12V, TA = 25 o C unless otherwise specified.
Symbol Definition
V CCUV+ V CC supply undervoltage positive going
Min.
—
Typ.
8.4
Max.
—
Units Test Conditions
V
threshold
V CCUV- V CC supply undervoltage negative going
—
8.0
—
V
threshold
I QCC
Quiescent V CC supply current
—
300
—
μ A
V CC > V CCUV
V CLAMP V CC zener shunt clamp voltage
—
15.6
—
V
I CC = 5mA
I QBS
l OS
f OSC
Quiescent V BS supply current
Offset supply leakage current
Oscillator frequency
—
—
—
—
30
—
20
100
—
50
—
—
μ A
kHz
V B = V IN = 500V
R T = 35.7 k ?
C T = 1 nF
R T = 7.04 k ?
C T = 1 nF
I CT
V CTUV
V RT+
C T input current
C T undervoltage lockout
R T high level output voltage, V CC - R T
—
—
—
0.001
100
20
1.0
—
—
μ A
Note 2
I RT = 100μA
V RT-
R T low level output voltage
—
—
200
20
—
—
mV
I RT = -1mA
I RT = 100μA
—
200
—
I RT = -1mA
V RTUV
V CT+
V CT-
R T undervoltage lockout, V CC - R T
2/3 V CC threshold
1/3 V CC threshold
—
—
—
100
8.0
4.0
—
—
—
kHz
I RT = 100μA
Rds(on) Static-drain-to-source on-resistance
-224
—
1.1
—
I F =1.1A
-320
—
1.8
—
?
I F =900mA
di/dt
V SD
Diode forward voltage
-420
-224
-320
—
—
—
3.0
0.85
0.7
—
—
—
V
I F =700mA
I F =1.1A
I F =900mA
=100
A/ μ s
-420
—
0.8
—
I F =700mA
4
www.irf.com
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参数描述 |
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