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参数资料
| 型号： | IRC640 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 200V的电压，的Rds（on）\u003d 0.18ohm，身份证\u003d 18A条） |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 228K |
| 代理商： | IRC640 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRC644 | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A) |
| IRC730 | Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.0ohm, Id=5.5A) |
| IRC740 | Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=10A) |
| IRC830-024PBF | 4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRCZ44-019 | 50 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRC640-007 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-220VAR |
| IRC640-008 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-220VAR |
| IRC640PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRC644 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A) |
| IRC644-007 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220VAR |
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