- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录360924 > IRF1010ESL PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF1010ESL |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 377K |
| 代理商： | IRF1010ESL |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF1010NSTRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 84A I(D) | TO-263AB |
| IRF1010NSTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 84A I(D) | TO-263AB |
| IRF1010S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
| IRF1205 | |
| IRF130R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-204AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF1010ESPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 60V, 83A, 12 MOHM, 86.6 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 84A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 60V 84A D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 60V, 84A, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 60V, 84A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:84A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):12mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation ;RoHS Compliant: Yes 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 60V 84A D2PAK |
| IRF1010ESTRL | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 60V, 84A, D2-PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Dr |
| IRF1010ESTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF1010ESTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF1010EZ | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。