- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21638 > IRF1104L (International Rectifier)MOSFET N-CH 40V 100A TO-262 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF1104L |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 100A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 93nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF1104L |
IRF1104S/L
5000
4000
V GS =
C iss =
C rss =
C oss =
0V, f = 1MHz
C gs + C gd , C ds SHORTED
C gd
C ds + C gd
20
I D = 60A
V DS = 32V
V DS = 20V
15
3000
Ciss
10
2000
Coss
5
1000
0
Crss
0
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
1
10
100
0
25
50
75
100
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
10000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
T J = 175 ° C
1000
10us
10
100
100us
1ms
T J = 175 C
1
0.1
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
1
T C = 25 ° C
°
Single Pulse
10ms
0.2
0.8
1.4
2.0
2.6
1
10
100
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECW-U4822V17 | CAP FILM 8200PF 400VDC 1913 |
| KB15RKW01-12-JG | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V |
| KB15SKW01-05-JF | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V |
| KB15CKW01-05-FF | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V |
| KB15MKW01-05-JG | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF1104LPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 40V, 100A, 9 MOHM, 62 NC QG, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 40V 100A 3PIN TO-262 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 40V 100A TO262 |
| IRF1104PBF | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF1104S | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF1104SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
| IRF1104SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 40V, 100A, 9 MOHM, 62 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 40V 100A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 40V 100A D2PAK |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。