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参数资料
| 型号： | IRF1104S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 93nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF1104S |
PD -91845
IRF1104S/L
HEXFET ? Power MOSFET
l
Advanced Process Technology
l
l
Ultra Low On-Resistance
Surface Mount (IRF1104S)
D
V DSS = 40V
l Low-profile through-hole (IRF1104L)
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
Description
G
S
R DS(on) = 0.009 ?
I D = 100A ?
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize
advanced processing techniques to achieve extremely low
on-resistance per silicon area. This benefit, combined with
the fast switching speed and ruggedized device design that
HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the
designer with an extremely efficient and reliable device for
use in a wide variety of applications.
The D 2 Pak is a surface mount power package capable of
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the
D P ak
highest power capability and the lowest possible on-resistance
in any existing surface mount package. The D 2 Pak is
suitable for high current applications because of its low
internal connection resistance and can dissipate up to 2.0W
in a typical surface mount application.
The through-hole version (IRF1104L) is available for low-
profile applications.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
2
Max.
T O -26 2
Units
I D @ T C = 25°C
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T C = 25°C
V GS
E AS
I AR
E AR
dv/dt
Continuous Drain Current, V GS @ 10V ?
Continuous Drain Current, V GS @ 10V ?
Pulsed Drain Current ??
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy ??
Avalanche Current ?
Repetitive Avalanche Energy ?
Peak Diode Recovery dv/dt ??
100 ?
71 ?
400
2.4
170
1.1
±20
350
60
17
5.0
A
W
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
T J
T STG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
R θ JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient(PCB Mounted,steady-state)**
–––
–––
0.9
62
°C/W
www.irf.com
1
11/20/98
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF1104L | MOSFET N-CH 40V 100A TO-262 |
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| KB15RKW01-12-JG | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V |
| KB15SKW01-05-JF | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF1104SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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