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参数资料
| 型号： | IRF1405STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 131A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.3 毫欧 @ 101A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 260nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5480pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF1405S/L
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
55
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
R DS(on)
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.057
4.6
––– V/°C
5.3 m ?
Reference to 25°C, I D = 1mA
V GS = 10V, I D = 101A ?
μA
200 V GS = 20V
––– I D = 101A
––– R G = 1.1 ?
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
2.0
69
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
170
44
62
13
190
130
110
4.0 V V DS = 10V, I D = 250μA
––– S V DS = 25V, I D = 110A
20 V DS = 55V, V GS = 0V
250 V DS = 44V, V GS = 0V, T J = 150°C
nA
-200 V GS = -20V
260 I D = 101A
66 nC V DS = 44V
93 V GS = 10V ?
––– V DD = 38V
ns
––– V GS = 10V ?
L D
L S
Internal Drain Inductance
Internal Source Inductance
–––
–––
4.5
7.5
–––
–––
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
G
D
S
C iss
C oss
C rss
C oss
C oss
C oss eff.
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance ?
–––
–––
–––
–––
–––
–––
5480
1210
280
5210
900
1500
––– V GS = 0V
––– pF V DS = 25V
––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5
––– V GS = 0V, V DS = 1.0V, ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 44V, ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 0V to 44V
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
––– ––– 131 ?
––– ––– 680
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
Diode Forward Voltage
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 101A, V GS = 0V
?
t rr
Q rr
t on
2
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
––– 88 130 ns T J = 25°C, I F = 101A
––– 250 380 nC di/dt = 100A/μs ?
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
www.irf.com
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