收藏本站
参数资料
型号： IRF2804
厂商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件页数： 8/12页
文件大小： 771K
代理商： IRF2804
8
www.irf.com
Fig 17.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
"
#$!
%&
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
''
()""*+
'(&,'-
!
""*'./'/
'-0'(-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
'
"12
'.
≤ 1
3
≤ 0.1 %
'
+
-
''
Fig 18a.
Switching Time Test Circuit
Fig 18b.
Switching Time Waveforms
相关PDF资料
PDF描述
IRF2804L HEXFET Power MOSFET
IRF2804S HEXFET Power MOSFET
IRF2804LPBF AUTOMOTIVE MOSFET
IRF2804PBF AUTOMOTIVE MOSFET
IRF224 HEXFET TRANSISTORS
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF2804HR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 40V 280A 3PIN TO-220 - Bulk
IRF2804L 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 280A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IRF2804LPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF2804PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF2804PBF_10 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET?? Power MOSFET
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*