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参数资料
| 型号： | IRF2804S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 771K |
| 代理商： | IRF2804S |
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 14.
Threshold Voltage vs. Temperature
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
1.0
2.0
3.0
4.0
VG
ID = 250μA
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
200
400
600
800
1000
1200
EA
ID
TOP 31A
53A
BOTTOM75A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
|---|---|
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| IRF2804S-7PPBF | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF2804S-7PPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 40V, 320A, D2-PAK |
| IRF2804SPBF | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF2804SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
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