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参数资料
| 型号： | IRF2807STRL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 82A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 43A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3820pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 230W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF2807S/IRF2807L
7000
6000
5000
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = C gs + Cgd , C ds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
SHORTED
20
16
I D = 43A
V DS = 60V
V DS = 37V
V DS = 15V
4000
12
3000
2000
Coss
8
1000
0
Crss
4
0
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
1
10
100
0
40
80
120
160
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS (on)
100
10
T J =
175 ° C
100
100μsec
T J = 25 ° C
10
1msec
1
Tc = 25°C
0.1
V GS = 0 V
1
Tj = 175°C
Single Pulse
10msec
0.0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
2.4
1
10 100
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1000
4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3205STRR | MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK |
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| IRF3315 | MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB |
| IRF3415STRR | MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK |
| IRF3515STRR | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF2807STRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF2807STRR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 82A I(D) | TO-263AB |
| IRF2807STRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 75V 82A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
| IRF2807STRRPBF | 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 106.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF2807Z | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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