参数资料
型号: IRF3415
厂商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=43A)
中文描述: 功率MOSFET(减振钢板基本\u003d 150伏,的Rds(on)\u003d 0.042ohm,身份证\u003d 43A章)
文件页数: 7/8页
文件大小: 94K
代理商: IRF3415
IRF3415
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
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PDF描述
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IRF3704L Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=77A)
IRF3704S CONNECTOR, PICOFLEX, 4WAY; Connector type:Wire-to-Board; Ways, No. of:4; Termination method:Crimp; Rows, No. of:2; Pitch:1.27mm; Series:91935 RoHS Compliant: Yes
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