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参数资料
| 型号： | IRF3415L |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 43A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 43A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF3415L |
IRF3415S/L
1000
TOP 15V
VGS
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.5V
BOTTOM 4.5V 5.0V
1000
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.5V
4.5V
BOTTOM 5.0V
100
4.5V
100
4.5V
10
1
10
20us PULSE WIDTH
T J = 25 o C
100
10
1
10
20us PULSE WIDTH
T J = 175 o C
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
100
T J = 25 ° C
T J = 175 ° C
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 37A
T J , Junction Temperature ( C)
10
4
V DS = 50V
20μs PULSE WIDTH
5 6 7 8 9
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
10
0.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
V GS = 10V
o
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SM31TA504 | TRIMMER 500K OHM 0.125W SMD |
| 327-0075 | CAP SWITCH 3/4" SQUARE WHITE |
| T491B335M016AT | CAP TANT 3.3UF 16V 20% 1411 |
| ECH-U1H103JB5 | CAP FILM 10000PF 50VDC 1206 |
| T491B225M020AT | CAP TANT 2.2UF 20V 20% 1411 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3415LPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 150V, 43A, TO-262, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D |
| IRF3415PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3415S | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3415SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 43A 3PIN D2PAK - Bulk |
| IRF3415SPBF | 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 133.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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